Diodes 公司推出 80V 低靜態電流理想二極體控制器，簡化現代汽車架構中的反接與過電壓保護
Diodes 公司 (Nasdaq：DIOD) 推出符合汽車規範的 AP74502Q 和 AP74502HQ 80V 理想二極體控制器，提供強大且可靠的反接與電壓瞬變保護。典型應用包括先進駕駛輔助系統（ADAS）、車身控制模組、資訊娛樂系統、外部照明與 USB 充電埠。
這些理想二極體控制器具備實現高效且快速反極性保護電路所需的所有功能，並在過電壓或欠電壓事件中提供負載斷開功能。具備 80V 的能力，使其適用於所有 12V 和 24V 電池，包括混合動力與純電動車（EV）中的電池，以及新興的 48V 系統。
48V 系統的轉型正推動電動車創新，實現如電動渦輪增壓與更佳的再生煞車等功能。更高的電壓也促進了先進資訊娛樂系統與電氣化輔助元件的發展，並可能導入區域架構，以提升電力分配效率並減少線材需求。±80V 的額定值對於這些 48V 系統中更嚴格的過電壓應力條件尤為重要。
與具備反向電流阻斷功能的理想二極體不同，這些控制器適用於能量可能回流至輸入電源的應用。不過，它們也可配置為突波抑制器，以保護電源與下游負載免受未抑制的負載突波瞬變影響。
AP74502Q 和 AP74502HQ 控制器亦支援最低 3.2V 的輸入電壓，確保在嚴重冷啟動條件下（電池電壓可能大幅下降）仍能正確且可靠地運作。兩款元件皆具備 2.3A 的峰值閘極關斷吸收電流，可在過電壓或欠電壓事件中快速關斷外部 N 溝道 MOSFET。
當啟用電荷泵時，操作靜態電流（IQ）為 62µA；停用模式下僅為 1µA，最大限度地降低系統整體功耗與電池耗電。
AP74502Q 的峰值閘極源電流通常為 60μA，提供平順的啟動與自然的湧入電流控制，適用於需限制初始電流突波的應用。而 AP74502HQ 則具備更高的 11mA 峰值閘極源電流，與 Diodes 先前的理想二極體控制器系列相似，能在 1µs（典型值）內快速啟動外部 MOSFET。
AP74502Q 與 AP74502HQ 採用業界標準 SOT28 封裝，操作溫度範圍為 -40°C 至 +125°C。
新聞來源:DIODES