SECOS
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公司簡介:
一、 公司基本資料與成立背景
喜可士科技股份有限公司（母公司Eris Technology Corporation，股票代號：3675）成立於 1995 年 8 月 16 日，由董事長張恩傑領軍。多年來歷經多次轉型與策略佈局，從早期晶圓貿易與成品委外加工，逐步建立自動化封裝測試生產線；並在 2018 年透過收購亞昕科技正式跨入晶圓製造領域，2011 年獲得 Diodes Incorporated 投資，隨後於 2024 年上半年併購 Diodes 基隆晶圓廠並於下半年收購 SeCoS，持續推動垂直整合與先進高階 IDM 製程。
二、 營運據點與組織架構
- 企業總部：位於台灣新北市深坑。
- 主要廠區：包含位於台灣的桃園封裝廠與基隆晶圓廠。
- 全球服務據點：業務與銷售合作夥伴涵蓋台灣、中國、亞洲其他地區、歐洲、美國、韓國、日本、東南亞、土耳其、印度、澳大利亞、中東及以色列等地。
三、 專業領域與核心技術
德微與旗下品牌專注於分離式半導體元件之研發與製造，定位為「專業解決問題的夥伴」。
- 核心技術亮點：
- 高效率與高效能系統保護：包含瞬態電壓抑制二極體（TVS）、靜電放電（ESD）保護元件、快速回復磊晶二極體（FRED）、緩衝整流二極體等。
- 先進功率元件：涵蓋平面式鉑蕭特基二極體、碳化矽（SiC）蕭特基二極體、溝槽型 MOS 蕭特基二極體、分離閘極溝槽式金氧半場效電晶體（MOSFET）及超接面金氧半場效電晶體。
- 先進封裝與製程技術：積極開發晶圓級封裝（WLCSP）與矽穿孔互連技術（TSV），以達到元件小型化、降低電感、提升熱傳導效率與降低功耗之目的。
四、 產品介紹與應用領域
- 主要產品家族：
- 蕭特基二極體（Schottky Diode）
- 整流二極體（Standard / Fast / Super Fast Rectifier、橋式整流器）
- 電晶體與 MOSFET（金氧半場效電晶體、雙極性接面電晶體 BJT）
- 突波吸收元件與靜電放電（ESD）保護元件
- 可控矽整流器（Thyristor）與穩壓二極體（Zener）
- 應用領域：產品廣泛應用於車用電子（如 ADAS、無人自動駕駛、車燈、儀表板、ABS 模組、安全氣囊 ECU 控制等）、工業 4.0 與物聯網（IoT）、快充設備、人工智慧、5G 通訊、消費性電子產品、太陽能系統（Solar System）、伺服器（Server）、網通設備（Router、Switch）、電源供應器（S.M.P.S.）及顯示器等多元場景。
五、 品質政策、ESG 與經營理念
- 品質認證：嚴格遵守國際標準，已取得 ISO 9001、IATF 16949、ISO 14001、ISO 45001、ISO 14064、ISO 14067、VDA 6.3 及 MIL-PRF-19500R 等多項認證，並符合 AEC-Q101 車規要求、RoHS、REACH 與無鹵素規範。
- 經營理念：秉持「以一流的設備、一流的服務、一流的產品」提供客戶高品質服務的核心方針。
- ESG 永續實績：在環境保護方面積極推動溫室氣體與水資源管理，並與台泥合作將廢棄層壓接著劑再利用開發環保磚，落實循環經濟；在社會參與方面，長期投入「Plant Hope」等公益專案、捐贈醫療設備與舉辦志工活動；在公司治理方面，持續推動全自動化產線、精進公司治理評鑑表現。
產品:
| 類別 | 描述 |
|---|---|
| 蕭特基二極體 | ◎ 利用金屬與半導體接面所形成的障壁來產生整流效果，其最大的特點在於正向壓降低（Low ）且切換速度極快。
在 SECOS 的產品線中（包含平面式、溝槽型及碳化矽 SiC 蕭特基二極體），主要用於高頻切換電源供應器、伺服器、太陽能系統以及車用電子（如 ABS 模組、車燈與各類 ECU 控制）中，能有效降低導通損耗並提升整體能源轉換效率。 |
| 整流二極體 | ◎ 包含標準整流二極體、快速回復二極體（FRED）及橋式整流器等。
SECOS 透過自動化產線與嚴格的封裝技術（如 SMA、SMB、SMC 及 DO-218 等規格），提供具備高耐壓、高穩定性的整流方案，廣泛應用於各類電源供應器、網通設備、家電及車用發電機與柴油車 ECU 系統中，確保電力傳輸的穩定與安全。 |
| 電晶體與 MOSFET | ◎ 作為電路中的核心開關與訊號放大元件。
SECOS 提供雙極性接面電晶體（BJT）以及涵蓋低壓到高壓、超接面（Super Junction）與分離閘極溝槽式（Split-Gate Trench）等技術的 MOSFET 產品。這些元件能在大電流與高頻環境下實現快速切換與精準的功率控制，廣泛運用於工業 4.0 設備、伺服器、電腦周邊、快充裝置及車用馬達驅動與車門模組中。 |
| 突波吸收元件與 靜電放電（ESD）保護元件 |
◎ 專為電子系統設計的過電壓與突波防護屏障（包含瞬態電壓抑制二極體 TVS 與 ESD 陣列）。
當電路遭遇瞬間的高能量雷擊突波、負載突降（Load Dump，如車用環境）或人體釋放的靜電放電時，這類元件能在奈秒（ns）級的時間內迅速導通並箝制異常高壓，保護後端的敏感積體電路與核心晶片免於損毀，常用於通訊設備、車用電子、介面連接埠及消費性電子產品中。 |
| 可控矽整流器 | ◎ 屬於大功率的半導體開關元件，具備雙穩態（可控導通與關斷）特性。
主要用於需要進行大功率交流電控制、相位控制或電力調節的工業與消費性系統（如大型馬達控制、工業自動化設備、高功率電源供應與照明控制系統），能夠在嚴苛環境下穩定調控大電流與高電壓。 |