瑞薩電子推出行業首創第六代DDR5寄存時鐘驅動器，以9600MT/s的傳輸速率樹立AI伺服器性能新標杆
全新RCD樣品現已向特定客戶開放
全球半導體解決方案供應商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣佈推出業界首款面向DDR5寄存雙列直插式記憶體模組（RDIMM）的第六代（Gen6）寄存時鐘驅動器（RCD）。這款全新RCD率先實現了9600兆傳輸/秒（MT/s）的資料速率，超越當前行業標準。與瑞薩第五代（Gen5）RCD 8800MT/s的性能相比，本次突破實現了大幅提升，為資料中心伺服器的記憶體介面性能樹立了全新標杆。
瑞薩第六代DDR5 RCD的關鍵特性
- 頻寬較瑞薩第五代RCD提升10%（9600MT/s vs 8800MT/s）
- 向後相容第五代平臺：提供無縫升級路徑
- 增強信號完整性與能效：支援AI、HPC，及LLM工作負載
- 擴展的決策回饋均衡架構：提供八個Taps和5mV精度的電壓調整，實現卓越的裕量調諧
- 決策引擎信號遙測與裕量調節（DESTM）：改進系統級診斷功能可提供即時信號品質指示、裕量視覺化以及診斷回饋，以支援更高速度運行
新型DDR5 RDIMM旨在滿足人工智慧（AI）、高性能計算（HPC），及其它資料中心應用對頻寬日益增長的需求。瑞薩在新型RDIMM的設計、開發與部署過程中發揮關鍵作用，協同包括CPU和記憶體供應商等在內的行業領軍企業，及終端客戶開展了深度合作。憑藉在信號完整性與功耗優化領域的深厚積澱，瑞薩已位於DDR5 RCD領域的前沿。
Sameer Kuppahalli, Vice President of Memory Interface Division at Renesas表示：“生成式AI的爆發式增長推動了系統晶片核心數量的激增，進而將記憶體頻寬與容量的需求推向前所未有的高度，成為資料中心性能的關鍵驅動力。第六代DDR5寄存時鐘驅動器充分彰顯出瑞薩致力於記憶體介面創新、開拓前沿技術，並提供滿足市場需求解決方案的堅定承諾。”
Indong Kim, VP of DRAM Product Planning, Samsung Electronics表示：“三星與瑞薩在多代記憶體介面元件領域保持著緊密合作，包括成功完成Gen5 DDR5 RCD和PMIC 5030的認證。如今，我們很高興將Gen6 RCD集成至DDR5 DIMM中，覆蓋多個SoC平臺，以滿足AI、HPC，及其它記憶體密集型工作負載日益增長的需求。”
新聞來源: Renesas